全球存储芯片市场正经历一轮罕见的超级周期。在HBM销售强劲、DRAM及NAND价格大幅飙升的驱动下，三星电子和SK海力士第一季度营业利润预计将双双创下历史新高，且幅度接近此前纪录的两倍。
据TrendForce数据，Q1 DRAM及NAND Flash合同价格环比分别上涨90%至95%和55%至60%。预计Q2涨势延续。
据卖方机构预测，三星电子Q1营业利润估计达40万亿至45万亿韩元，SK海力士则为36万亿至39万亿韩元。两家公司此前的单季营业利润纪录均创于去年第四季度，若卖方预测准确，两家公司将同步刷新纪录，新高约为旧高的两倍。
在全球范围内能达到这一量级的企业屈指可数，仅包括英伟达、苹果、Alphabet、微软及沙特阿美等少数巨头。
三星电子业绩预告将于4月7日（韩国时间）披露，SK海力士财报电话会议定于4月23日举行，三星电话会议则安排在4月30日。
价格暴涨：DRAM合同价单季涨幅近翻番存储芯片价格的飙升是本轮盈利爆发的直接推手。
据TrendForce数据，Q1 DRAM及NAND Flash合同价格环比分别上涨90%至95%和55%至60%。更值得关注的是，TrendForce预测Q2涨势将延续，DRAM合同价有望再涨58%至63%，NAND Flash则为70%至75%。
这一趋势在美光上月发布的财报中已有先兆。其2026财年第二季度（2025年12月至2026年2月）营收达238.6亿美元，较公司自身指引18.7亿美元高出27%；非GAAP营业利润165亿美元，超指引预期约46%。
供给瓶颈：新产能最早2027年末方能释放供应端的结构性紧缺是推动此轮涨价的根本原因。业内预计，当前新建无尘室产能最早要到2027年末至2028年才能实际转化为有效供给。
在此背景下，AI云服务提供商正积极与存储厂商签订5年期长期采购协议以锁定货量，大宗存储市场供应短缺局面预计将持续。
行业内部人士指出，存储行业中长期的关键变量在于：谷歌TurboQuant等存储效率技术能否切实压缩服务器采购量，以及云数据中心企业能否维持当前的资本开支节奏。
IDC分析师Jitesh Ubrani亦表示，"存储短缺将持续至2027年。即便价格从2028年起有所回落，也不会回到2025年的水平。"
下游承压：智能手机出货量预计下滑逾12%价格暴涨的代价正由下游消费电子产业承担。
IDC预测，受存储成本压力拖累，今年全球智能手机出货量将下降12.9%，PC出货量将下滑11.3%，并以"海啸级别"形容此次冲击。
存储价格已高至原始设备制造商主动下调产品规格、甚至全面砍掉入门级产品线的程度。显示面板厂商据报道也已因此下调全年出货目标。
对于存储芯片大厂而言，利润创纪录的另一面，是其客户承受压力的持续累积。随着供需失衡局面向产业链下游延伸，这场存储超级周期对整体消费电子市场的结构性影响，或将成为投资者需要持续关注的风险变量。
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